| 主要规格及技术指标 |
"1）SEM分辨率（SEM Resolution）：
Atoptimum WD: 0.6nm@15kV, 0.7 nm @1 kV, 1.0 nm @ 500 V ; Atcoincident point: 0.6 nm @ 15 kV, 1.2 nm @ 1 kV;
2）FIB（聚焦等离子体源Xe+/Ar+/O+/N+）分辨率（FIB Resolution）：
10 nm@30kV;
3）探测器（Detectors）：
Elstar in-lens SE/BSE detector (TLD-SE,TLD-BSE); Elstar in-column SE/BSE detector (ICD); Elstar in-column BSE detector (MD); Everhart-ThornleySE detector (ETD); High-performancein-chamber electron and ion detector (ICE) ; forsecondary ions (SI) and electrons (SE)；Retractable,low-voltage, high-contrast, directional, solid-state backscatter electrondetector (DBS); IRcamera for viewing sample/column；Samplenavigation with in-chamber Nav-Cam Camera.
•电子背散射能谱（EBDS）：CMOS相机最高花样分辨率优于1k*1k；花样分辨率保持156*128时，在线最高定标速度不低于5700pps；取向精度由于0.1度。"
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