| 主要规格及技术指标 |
1离子源：氩气
2 离子枪数：1个
3 加速电压：0-6Kv
4 截面研磨系统：
4.1加工速度：截面加工500μm/h，6Kv的条件下，Si片，
4.2样品加工位置精确调整：样品托千分尺调整，精度10μm
4.3最大样品尺寸：≤20(W)×12(D)×7(H)mm
4.4样品可移动范围：截面X:±7mm, Y:0～3mm，
4.5挡板可移动范围：X:±8mm，Y：-3～0mm
4.6样品摆动角度：截面研磨±15° ±30° ±40°
4.7样品摆动速度：6°/s, 60°/s
5平面研磨系统
5.1平面加工速度：平面加工2um/h(照射角度0°，偏心量4mm,平面) 20μm/h(照射角度60°，偏心量0mm，点)
5.2偏心量设计：0-5mm
5.3最大样品尺寸： 50φ×25(H)mm
5.4样品加工区域：φ5 mm
5.5样品摆动角度：±60° ±90°
5.6样品台旋转速度：1r/min，25r/min
5.7倾斜角度：0-90°
6冷却系统: 液氮罐容量800CC，最低显示温度-150℃，冷却时间4h
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