高真空分辨率：30 kV下≤0.8 nm (STEM),≤1.0 nm (SE),≤2.5 nm (BSE)；1kV下≤3.0nm（SE）； 低真空分辨率：30 kV下≤1.3 nm (SE)，≤2.5 nm (BSE)；3kV下≤3.0nm（SE）； 环境真空分辨率：30 kV下≤1.3 nm (SE) 配备能谱仪：有效晶体面积100mm2，高分子超薄窗设计，无需液氮冷却 帕尔贴冷台1套，控温范围-20~60℃； 帕尔帖冷台集成式STEM 1套，用于观察湿薄样品； 低真空/环境真空加热台，最高加热温度1400℃； High Vacuum Resolution: 30 kV≤0.8 nm (STEM),≤1.0 nm (SE),≤2.5 nm (BSE)；1kV≤3.0nm（SE） Low Vacuum Resolution：30 kV≤1.3 nm (SE)，≤2.5 nm (BSE)；3kV≤3.0nm（SE）； ESEM Resolution：30 kV≤1.3 nm (SE) EDS Detector: possible sensor size up to 100mm2; Cooling Stage:-20~60℃ for bulk samples; WetSTEM :-20~60℃ for thin samples; Heating Stage: up to 1400℃
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